Справка

Основные параметры полевого транзистора STH8N80

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 800V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.2A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Производитель: STE
  
• Тип корпуса: TO-218
• Найти datasheet