|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STH9N80Основные параметры полевого транзистора STH9N80 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 800V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 120/350
- Входная емкость (Сiss): 2700
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.000 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO-218
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSTW8N80 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | 800V | 20V | 8.2A | 120/350 | 2700 | 1.200 Ом | TO-247 | |
|
|
|