|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STK4N30Основные параметры полевого транзистора STK4N30 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.2A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.400 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: SOT-82
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| IRF624A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 250V | | | 4.1A | 20nS | 335pF | 1.1 Ом | TO-220 | | IRFI624A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 250V | | | 4.1A | 20nS | 335pF | 1.1 Ом | I2PAK | | IRFW624A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 250V | | | 4.1A | 20nS | 335pF | 1.1 Ом | TO-263 | | STD3N30L |
MOSFET | N-Channel | 50W | 250V | | | 4A | | | | IPAK | | STK4N25 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 250V | | | 4A | | | 1.100 Ом | SOT-82 | | STK4N30L |
MOSFET | N-Channel | 50W | 300V | | | 4.2A | | | 1.400 Ом | SOT-82 | |
|
|
|