|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STK4N40Основные параметры полевого транзистора STK4N40 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: STE
- Тип корпуса: SOT-82
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF721 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 350V | | | 3.3A | - | - | 1.8 Ом | TO220 | SDF320JAA |
MOSFET | N-Channel | 50W | 400V | | | 3.3A | | | 1.8 Ом | N/A | SDF320JAB |
MOSFET | N-Channel | 50W | 400V | | | 3.3A | | | 1.8 Ом | N/A | |
|
|
|