vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP20N10
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STP20N10

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 105W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.120 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N7236 MOSFETP-Channel125W100V 18A35/85nS1400pF0.20 ОмTO254
    IRF142 MOSFETN-Channel125W100V 24A--0.1 ОмTO3
    IRF143 MOSFETN-Channel125W80V 24A--0.1 ОмTO3
    IRF9140 MOSFETP-Channel125W100V 18A35/85nS1400pF0.23 ОмTO3
    IRFM9140 MOSFETP-Channel125W100V 18A35/85nS1400pF0.20 ОмTO254
    IRL540 MOSFETN-Channel125W100V 24A TO-220
    IRL541 MOSFETN-Channel125W80V 24A TO-220
    SDF9140 MOSFETP-Channel100W100V 19A 0.21 ОмN/A
    STP20N10L MOSFETN-Channel105W100V 20A 0.120 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика