Основные параметры полевого транзистора STP2N80FI

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 800V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 7.000 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: ISOWATT220
Найти datasheet