vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP3N100FI
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STP3N100FI

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5.000 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOWATT220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SSS3N80A MOSFETN-Channel35W800V 2A38nS585pF4.8 ОмTO-220F
    SSS3N90A MOSFETN-Channel35W900V 2A39nS590pF6.2 ОмTO-220F
    SSS4N80A MOSFETN-Channel40W800V 2.5A44nS700pF4 ОмTO-220F
    SSS4N80AS MOSFETN-Channel40W800V 2.8A56nS880pF3 ОмTO-220F
    SSS4N90A MOSFETN-Channel40W900V 2.5A48nS730pF5 ОмTO-220F
    SSS4N90AS MOSFETN-Channel40W900V 2.8A57nS910pF3.7 ОмTO-220F
    STP3NA80FI MOSFETN-Channel40W800V 2A 4.500 ОмISOWATT220
    STP4N100FI MOSFETN-Channel40W1000V 2.2A 3.500 ОмISOWATT220
    STP4N100XI MOSFETN-Channel35W1000V 2A 4.000 ОмISOWATT221
    STP4N90FI MOSFETN-Channel40W900V 2.3A 3.500 ОмISOWATT220
    STP4NA80FI MOSFETN-Channel40W800V 2.4A 3.500 ОмISOWATT220
    STP5N80XI MOSFETN-Channel35W800V 2.6A 2.400 ОмISOWATT221
    STP5N90FI MOSFETN-Channel40W900V 2.8A 2.400 ОмISOWATT220
    STP5NA80FI MOSFETN-Channel40W800V 2.7A 2.400 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика