|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP5N80FIОсновные параметры полевого транзистора STP5N80FI - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40WE
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.1A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.000 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISOWATT220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK946 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 900V | | | 3A | | 750pF | 5.5 Ом | SOT186 | SSS5N80A |
MOSFET | N-Channel | 45W | 800V | | | 3A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-220F | SSS5N90A |
MOSFET | N-Channel | 45W | 900V | | | 3A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-220F | STP6NA80FI |
MOSFET | N-Channel | 45W | 800V | | | 3.4A | | | 1.900 Ом | ISOWATT220 | |
|
|
|