vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP5NA50FI
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STP5NA50FI

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.1A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.600 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOWATT220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2803 MOSFETN-Channel30W450V 3A 340pF2.8 ОмFM20
    IRFR320A MOSFETN-Channel41W400V 3.1A26nS385pF1.8 ОмDPAK
    IRFS330 MOSFETN-Channel42W400V 3.8A TO-3P
    IRFS332 MOSFETN-Channel42W400V 3.5A TO-3P
    IRFS430 MOSFETN-Channel42W500V 3.1A TO-3P
    IRFS431 MOSFETN-Channel42W450V 3.1A TO-3P
    IRFS720 MOSFETN-Channel30W400V 3A TO-220
    IRFS730A MOSFETN-Channel38W400V 3.9A42nS675pF1 ОмTO-220F
    IRFS830A MOSFETN-Channel38W500V 3.1A43nS690pF1.5 ОмTO-220F
    IRFU320A MOSFETN-Channel41W400V 3.1A26nS385pF1.8 ОмIPAK
    PHX6ND50E MOSFETN-Channel35W500V 3A 1.5 ОмSOT186A
    PHX7N60E MOSFETN-Channel37W600V 3.5A 1.2 ОмSOT186A
    STP4N40FI MOSFETN-Channel35W400V 3A 2.100 ОмISOWATT220
    STP5N50FI MOSFETN-Channel35W500V 3A 1.600 ОмISOWATT220
    STP5N60FI MOSFETN-Channel40W600V 3.4A 1.600 ОмISOWATT220
    STP6N50FI MOSFETN-Channel40W500V 3.8A 1.100 ОмISOWATT220
    STP6N60FI MOSFETN-Channel40W600V 3.8A 1.200 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика