Основные параметры полевого транзистора STP6NA50

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 11W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.100 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet