|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STW12N60Основные параметры полевого транзистора STW12N60 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 35/115
- Входная емкость (Сiss): 2500
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.600 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO-247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRC450 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | 500V | 20V | 14A | | 960pF | 0.4 Ом | TO-204 | IRFP450 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | 500V | 20V | 14A | 35/75 | 3000 | 0.400 Ом | TO-218 | IRFW450 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | 500V | 20V | 14A | 35/75 | 3000 | 0.400 Ом | TO-247 | IXTH12N50MA |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | 500V | 20V | 12A | | | 0.4 Ом | TO-247 | IXTH12N50MB |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | 500V | 20V | 12A | | | 0.4 Ом | TO-247 | STW14N50 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | 500V | 20V | 14.1A | 80/70 | 3000 | 0.450 Ом | TO-247 | |
|
|
|