|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора Si4833DYОсновные параметры полевого транзистора Si4833DY - Структура (технология): FET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 8.7nS
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.180 Ом
- Производитель: VISHAY
- Тип корпуса: SOIC-8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDS6961A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 3.5A | | | 0.090 Ом | SO8 | NDS8961 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 3.1A | | | 0.1 Ом | SO8 | NDS9400A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 3.4A | | | 0.13 Ом | SO8 | NDS9956A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 3.7A | | | 0.08 Ом | SO8 | |
|
|
|