vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора Si4833DY
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора Si4833DY

    • Структура (технология): FET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 8.7nS
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.180 Ом
    • Производитель: VISHAY
    • Тип корпуса: SOIC-8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDS6961A MOSFETN-Channel2W30V 3.5A 0.090 ОмSO8
    NDS8961 MOSFETN-Channel2W30V 3.1A 0.1 ОмSO8
    NDS9400A MOSFETP-Channel2.5W30V 3.4A 0.13 ОмSO8
    NDS9956A MOSFETN-Channel2W30V 3.7A 0.08 ОмSO8
    Яндекс.Метрика