Справка

Основные параметры полевого транзистора GFB70N03

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 30V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 70A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 9/100nS
  
• Входная емкость (Сiss): 3400pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.008 Ом
  
• Производитель: GENERAL SEMI
  
• Тип корпуса: TO-263
• Найти datasheet