Основные параметры полевого транзистора GFD30N03

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 38W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 30V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 40A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 10/47nS
Входная емкость (Сiss): 850pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.015 Ом
Производитель: GENERAL SEMI
Тип корпуса: TO-252
Найти datasheet