|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9953Основные параметры полевого транзистора IRF9953 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 9.7/20nS
- Входная емкость (Сiss): 190pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.25 Ом
- Производитель: IRF
- Тип корпуса: SO8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF9952 |
MOSFET | N/P Chan | 2W | 30V | | ±20V | 1.8A | 9.7/20nS | 190pF | 0.1/0.2 Ом | SO8 | |
|
|
|