Основные параметры полевого транзистора SDF9N100SXH

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 230W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 1000V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 30/95nS
Входная емкость (Сiss): 2950pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
Производитель: SOLITRON
Тип корпуса: TO-3
Найти datasheet