vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FRX130D1
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FRX130D1

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 11.4W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 30/200nS
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.18 Ом
    • Производитель: HARRIS
    • Тип корпуса: CLCC18
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRX130D2 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130D3 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130D4 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130R1 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130R2 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130R3 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130R4 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130H1 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130H2 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130H3 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    FRX130H4 MOSFETN-Channel11.4W100V100V±20V6A30/200nS 0.18 ОмCLCC18
    Яндекс.Метрика