vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF75339S3ST

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора HUF75339S3ST

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 124W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 55V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 55V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 75A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 15/20nS
Входная емкость (Сiss): 2000pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.012 Ом
Производитель: INTERSIL
Тип корпуса: TO-263AB
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
HUF75339G3	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-247
HUF75339P3	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-220
HUF75339S3	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-262AA
HUF75339S3S	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-263AB
75339S	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-263AB
75339G	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-247
75339P	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-220
TA75339	MOSFET	N-Channel	124W	55V	55V	±20V	75A	15/20nS	2000pF	0.012 Ом	TO-220