|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора OM3N100STОсновные параметры полевого транзистора OM3N100ST - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 90W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 1000V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 90/115nS
- Входная емкость (Сiss): 950pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5.4 Ом
- Производитель: OMNIREL
- Тип корпуса: TO257AA
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусOM3N100SA |
MOSFET | N-Channel | 90W | 1000V | 1000V | ±20V | 3.5A | 90/115nS | 950pF | 5.2 Ом | TO254AA | |
|
|
|