Основные параметры полевого транзистора 2SK2980

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 800mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): +12/-10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 1A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 155pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: MPAK
Найти datasheet