Основные параметры полевого транзистора 2SK3000

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 400mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 1A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): -
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: MPAK
Найти datasheet