Основные параметры полевого транзистора TPH2900ENH

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 78W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 36A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.029 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 22 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: SOP Advance
Найти datasheet