Основные параметры полевого транзистора TPH1110FNH

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 57W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.112 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 11 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: SOP Advance
Найти datasheet