Основные параметры полевого транзистора TK20S04K3L

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 38W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.014 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 18 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: DPAK+
Найти datasheet