Основные параметры полевого транзистора 2SK3229

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 50A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 340mS
Входная емкость (Сiss): 9700pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 150 Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: TO-220CFM
Найти datasheet