Основные параметры полевого транзистора TK40S10K3Z

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 93W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 40A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0144 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 61 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: DPAK+
Найти datasheet