Основные параметры полевого транзистора TPH4R008NH

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 78W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 100A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.004 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 59 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: SOP Advance
Найти datasheet