Основные параметры полевого транзистора TK18E10K3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 71W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 18A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.042 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 33 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet