Основные параметры полевого транзистора TK56E12N1

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 168W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 120V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 112A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.007 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 69 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet