Основные параметры полевого транзистора TK35A08N1

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 55A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0122 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SIS
Найти datasheet