Основные параметры полевого транзистора TK12A10K3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.08 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 18 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SIS
Найти datasheet