Основные параметры полевого транзистора TK8A10K3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 18W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.12 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 12.9 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SIS
Найти datasheet