|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK40A10N1Основные параметры полевого транзистора TK40A10N1 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 90A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0082 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 49 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTK46A08N1 |
MOSFET | N-channel | 35W | 80V | | | 80A | | | 0.0084 Ом | TO-220SIS | TK34A10N1 |
MOSFET | N-channel | 35W | 100V | | | 75A | | | 0.0095 Ом | TO-220SIS | TK42A12N1 |
MOSFET | N-channel | 35W | 120V | | | 88A | | | 0.0094 Ом | TO-220SIS | |
|
|
|