Основные параметры полевого транзистора TK80F08K3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 75V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 80A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0043 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 175 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SM(W)
Найти datasheet