|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TPN11006NLОсновные параметры полевого транзистора TPN11006NL - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 37A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0114 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 23 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TSON Advance
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| TPH11006NL |
MOSFET | N-channel | 34W | 60V | | | 40A | | | 0.0114 Ом | SOP Advance | | TPH14006NH |
MOSFET | N-channel | 32W | 60V | | | 34A | | | 0.014 Ом | SOP Advance | | TPH11006NL |
MOSFET | N-channel | 34W | 60V | | | 40A | | | 0.0114 Ом | SOP Advance | | TPH14006NH |
MOSFET | N-channel | 32W | 60V | | | 34A | | | 0.014 Ом | SOP Advance | | TK30A06N1 |
MOSFET | N-channel | 25W | 60V | | | 43A | | | 0.015 Ом | TO-220SIS | | TPN14006NH |
MOSFET | N-channel | 30W | 60V | | | 33A | | | 0.014 Ом | TSON Advance | |
|
|
|