Основные параметры полевого транзистора TPN22006NH

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 18W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 21A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.022 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 12 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TSON Advance
Найти datasheet