vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TPN1110ENH
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора TPN1110ENH

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 39W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.114 Ом
    • Суммарный заряд затвора (Qg): 7.0 нКл
    • Производитель: Toshiba
    • Тип корпуса: TSON Advance
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    TPH1110ENH MOSFETN-channel42W200V13A0.114 ОмSOP Advance
    TPH1110ENH MOSFETN-channel42W200V13A0.114 ОмSOP Advance
    Яндекс.Метрика