Справка

Основные параметры полевого транзистора TPN2010FNH

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 39W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.9A
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.198 Ом
  
• Суммарный заряд затвора (Qg): 7.0 нКл
  
• Производитель: Toshiba
  
• Тип корпуса: TSON Advance
• Найти datasheet