Основные параметры полевого транзистора TJ11A10M3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 24W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): -100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): -11A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.13 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 69 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SIS
Найти datasheet