Основные параметры полевого транзистора TJ9A10M3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 19
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): -100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): -9A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.17 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 47W нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SIS
Найти datasheet