Основные параметры полевого транзистора TJ100F06M3L

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): -60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): -150A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0071 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 250 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-220SM(W)
Найти datasheet