Основные параметры полевого транзистора TPCC8136

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 18W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): -20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): -150A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): н/д Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 36 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TSON Advance
Найти datasheet