Основные параметры полевого транзистора TPCC8105

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): -30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): -23A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0078 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 76 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TSON Advance
Найти datasheet