Основные параметры полевого транзистора TJ15P04M3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 29W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): -40V
Предельный постоянный ток стока (Id max): -15A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.036 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 26 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TSON Advance
Найти datasheet