vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK10V60W
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора TK10V60W

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 88.3W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.7A
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.38 Ом
    • Суммарный заряд затвора (Qg): 20 нКл
    • Производитель: Toshiba
    • Тип корпуса: DFN 8×8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    TK8P60W MOSFETN-channel80W600V8A0.5 ОмDPAK
    TK8P60W5 MOSFETN-channel80W600V8A0.56 ОмDPAK
    TK10P60W MOSFETN-channel80W600V9.7A0.43 ОмDPAK
    TK8Q60W MOSFETN-channel80W600V8A0.5 ОмIPAK
    TK10E60W MOSFETN-channel100W600V9.7A0.38 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика