vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK16V60W

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора TK16V60W

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 139W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 15.8A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.19 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 38 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: DFN 8×8
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
TK16G60W5	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.23 Ом	D2PAK
TK16G60W	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.19 Ом	D2PAK
TK14G65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	D2PAK
TK14G65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	D2PAK
TK14C65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	I2PAK
TK14C65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	I2PAK
TK16E60W5	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.23 Ом	TO-220
TK16E60W	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.19 Ом	TO-220
TK14E65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	TO-220
TK14E65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	TO-220
TK17E65W	MOSFET	N-channel	165W	650V			17.3A			0.2 Ом	TO-220
TK16N60W5	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.23 Ом	TO-247
TK16N60W	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.19 Ом	TO-247
TK14N65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	TO-247
TK14N65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	TO-247
TK17N65W	MOSFET	N-channel	165W	650V			17.3A			0.2 Ом	TO-247
TK16J60W5	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.23 Ом	TO-3P(N)
TK16J60W	MOSFET	N-channel	130W	600V			15.8A			0.19 Ом	TO-3P(N)