|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK10A60W5Основные параметры полевого транзистора TK10A60W5 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.7A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.45 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTK8A60W |
MOSFET | N-channel | 30W | 600V | | | 8A | | | 0.5 Ом | TO-220SIS | TK8A60W5 |
MOSFET | N-channel | 30W | 600V | | | 8A | | | 0.54 Ом | TO-220SIS | TK10A60W |
MOSFET | N-channel | 30W | 600V | | | 9.7A | | | 0.38 Ом | TO-220SIS | |
|
|
|