vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK20N60W
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора TK20N60W

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 165W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.155 Ом
    • Суммарный заряд затвора (Qg): 48 нКл
    • Производитель: Toshiba
    • Тип корпуса: TO-247
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    TK20V60W MOSFETN-channel156W600V20A0.17 ОмDFN 8×8
    TK17E65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-220
    TK17N65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-247
    TK20J60W MOSFETN-channel165W600V20A0.155 ОмTO-3P(N)
    TK20J60W5 MOSFETN-channel165W600V20A0.175 ОмTO-3P(N)
    Яндекс.Метрика