Основные параметры полевого транзистора TK100L60W

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 800W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 100A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.018 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 360 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-3P(L)
Найти datasheet