Основные параметры полевого транзистора TK7J90E

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 7A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.0 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 32 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-3P(N)
Найти datasheet